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由于AlGalGaN数据LED灯珠的外量子功率(EQE)一般小于10%，美国研究人员选择纳米阵列的共同结构来打破这一功率瓶颈。
研究人员认为，这种AlGan的纳米阵列结构可以克服高铝AlGan水平方向光传递的负面影响，因为横向磁(TM)偏振光效应会沿平面传递，从而抑制光子的激起。根据研究人员的估计，纳米阵列结构至少可以增加70%的光提取功率。
为了准确生长纳米阵列晶体，研究人员选择了选择性的区域延伸生长技能。
根据C平面GaN基蓝宝石衬底上的分子束外延生长技能(MBE)，选择性生长。
模具表面渗氮处理后，Gan纳米阵列基底开始在995°C的环境中生长，而其上部的AlGan则在935-1025°C的环境中生长。富铝用于纳米阵列顶部。
利用光致发光(PL)曲线进行测量，不同份额的AlGan光谱规模为210-327nm。至于280nm的深紫外LED，其纳米阵列由厚度为300nmn型Gan、80nmn型Al0.64Ga0.36N、无掺杂Al0.48Ga0.52N和60nm的P型Al0.64Ga0.36N组成。
光致发光的光谱为283nm，全线宽为11nm。与不同温度的PL曲线相比，其内量子功率(IQE)E)约为45%。
50x50μm2大细设备的开启电压为4.4V，5V时电流密度达到100A/cm2。这一特性远高于传统的量子陷阱AlGaNLED。
当波长为279nm时，伴随着电流的增加和小蓝移，规模从279.6nm(50A/cm2)到278.9nm(252A/cm2)。
同时，研究人员估计，总输出功率为0.93W/cm2，电流密度达到252A/cm2。但在这种情况下，光效距离10%的政策仍有距离。
理论上，所有输出功率都可以通过优化纳米阵列的尺度和距离来。而且设备的功能也可以通过使用隧道结等结构来有效提高。
研究人员认为，这种AlGan的纳米阵列结构可以克服高铝AlGan水平方向光传递的负面影响，因为横向磁(TM)偏振光效应会沿平面传递，从而抑制光子的激起。根据研究人员的估计，纳米阵列结构至少可以增加70%的光提取功率。
为了准确生长纳米阵列晶体，研究人员选择了选择性的区域延伸生长技能。
根据C平面GaN基蓝宝石衬底上的分子束外延生长技能(MBE)，选择性生长。
模具表面渗氮处理后，Gan纳米阵列基底开始在995°C的环境中生长，而其上部的AlGan则在935-1025°C的环境中生长。富铝用于纳米阵列顶部。
利用光致发光(PL)曲线进行测量，不同份额的AlGan光谱规模为210-327nm。至于280nm的深紫外LED，其纳米阵列由厚度为300nmn型Gan、80nmn型Al0.64Ga0.36N、无掺杂Al0.48Ga0.52N和60nm的P型Al0.64Ga0.36N组成。
光致发光的光谱为283nm，全线宽为11nm。与不同温度的PL曲线相比，其内量子功率(IQE)E)约为45%。
50x50μm2大细设备的开启电压为4.4V，5V时电流密度达到100A/cm2。这一特性远高于传统的量子陷阱AlGaNLED。
当波长为279nm时，伴随着电流的增加和小蓝移，规模从279.6nm(50A/cm2)到278.9nm(252A/cm2)。
同时，研究人员估计，总输出功率为0.93W/cm2，电流密度达到252A/cm2。但在这种情况下，光效距离10%的政策仍有距离。
理论上，所有输出功率都可以通过优化纳米阵列的尺度和距离来。而且设备的功能也可以通过使用隧道结等结构来有效提高。
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